姓 名： 孙伟锋
性 别： 男
民 族： 汉
出生年月： 1977年5月
学 历： 博士
职 称： 副教授
工作部门： PowerIC研发部
职 务： PowerIC研发部负责人
联系地址： 南京东南大学国家ASIC工程中心
邮政编码： 210096
联系电话： 84502190
电子邮箱： swffrog@seu.edu.cn
个人经历：
近5年来，先后参加国家"863"项目3项，参加江苏省及南京市项目4项；先后主持项目4项；在IEEE TransElectron Devices等国内外权威杂志上发表论文30余篇，其中被SCI收录8篇，EI收录20余篇；申请国家专利33项，其中16项获得了授权；硕士论文被评为2003年江苏省优秀硕士论文，现为IET Circuits, Devices & Systems期刊的审稿人。主要研究方向：功率器件、功率集成电路及低温集成电路设计，集成电路的可靠性研究。
主要参加及主持的项目(8项)：
[1]江苏省十五科技攻关项目——《PDP驱动电路及系统》，研究经费70万元；
[2]国家”863”项目——《智能功率集成技术研究》，研究经费70万元；
[3]国家”863”项目——《高压驱动电路模块》，研究经费150万元；
[4]国家”863”项目——《高压驱动电路模块》滚动，研究经费700万元；
[5]总装项目，研究经费70万元；
[6]无锡华润上华的合作项目，研究经费50万元，已经到款20万元；
[7]11所合作项目，研究经费25万元，已经到款20万元；
[8]44所合作项目，研究经费70万元；
科研项目： 功率器件、功率集成电路及低温集成电路设计，集成电路的可靠性研究等。
主要发表的论文（16篇）：
[1]Weifeng Sun, Hong Wu, Longxing Shi, Yangbo Yi, Haisong Li, “On-resistance degradations for different stress conditions in high voltage pLEDMOS transistor with thick gate oxide”, IEEE Electron Devices Letter2007, 28,(7):631-633 (SCI，EI收录)
[2]Weifeng Sun, Longxing Shi, Zhilin Sun, Yangbo Yi, Haisong Li, Shengli Lu, “High-voltage power IC technology with nVDMOS, RESURF pLDMOS, and novel level-shift circuit for PDP scan-driver”, IEEE Transon Electron Devices.2006 (4):891-896 (SCI，EI收录)
[3]Weifeng Sun, Jianhui Wu, Yangbo Yi, Lu shengli, Longxing Shi, “High-Voltage Power Integrated Circuit Technology Using Bulk-Silicon for Plasma Display Panels Data Driver IC”，Microelectronic Engineering2004 (71) :112-118 (SCI，EI收录，被引用3次)
[4]Weifeng Sun, Longxing Shi“Analytical models for the surface potential and electrical field distribution of bulk-silicon RESURF devices”Solid-State Electronics2004(48):799-805(SCI，EI收录，被引用2次)
[5]Weifeng Sun, Longxing Shi“Improving the Yield and Reliability of the Bulk-Silicon HV-CMOS by Adding a P-well”Microelectronic Reliability2005(45)：185-190 (SCI，EI收录，被引用1次)
[6]Weifeng Sun, Yangbo Yi, Shengli Lu, Longxing Shi, “Analytical Model for the PiecewiseLinearly Graded Doping Drift Region of LDMOS”, Chinese Journal of Semiconductor, 2006, 27(6):976-981 (EI收录)
[7]Weifeng Sun, Zhilin Sun, Yangbo Yi, Shengli Lu, Longxing Shi, “Gate Breakdown of High Voltage P-LDMOS and Improved Methods”, Journal of Southeast University, 2006(1): 35-38 (EI收录)
[8]Weifeng Sun, Yangbo Yi, Shengli Lu, Longxing Shi“Analysis on the Surface Electrical Field of High Voltage Bulk-Silicon LEDMOS with Multiple Field Plats”ICSICT , Beijing, 2004:353-356 （ISTP, EI收录）
[9]Weifeng Sun, Yangbo Yi, Jianhui Wu, Longxing Shi, “ Design on Data Driver IC for Plasma Display Panel”，ASID’04, Nanjing, 2004: 447-450
[10]Weifeng Sun, Longxing Shi, “High Reliability HV-CMOS Transistors in Standard CMOS Technology”, IEEE IPFA, Singapore, 2003：25-29 （ISTP收录）
[11]Zhilin Sun, Weifeng Sun (Corresponding author) and Longxing Shi, “A review of safe operation area”, Microelectronics Journal, 2006(37): 661-667 (SCI，EI收录).
[12]Zhilin Sun, Weifeng Sun (Corresponding author), Yangbo Yi and Longxing Shi, “Study of the power capability of LDMOS and the improved methods”, Microelectronics and Reliability, 2006(46) :1001-1005 (SCI，EI收录).
[13]Zhilin Sun, Weifeng Sun and Longxing Shi, “Modeling Kirk effect of RESURF LDMOS”, Solid-State Electronics, Volume 49, Issue 12, December 2005:1896-1899 (SCI，EI收录).
[14]Zhilin Sun, Weifeng Sun, Yangbo Yi, Chang Chen, Weilian Yao, Zhenxiong Peng, Longxing Shi, “PDP scan driver with NVDMOS and RESURF PLDMOS”, Power Semiconductor Devices and ICs, 2005ProceedingsISPSD '05The 17th International Symposium on 23-26 May 2005 Page(s):151－154(ISTP，EI收录).
[15]孙伟锋，易扬波，陆生礼，“多场板高压体硅LEDMOS表面电场和导通电阻率的研究”，固体电子学研究与进展，2006(26):157-161 (EI收录)
[16]孙伟锋, 易扬波, 吴烜等, “一种新型凹源HV-NMOS器件研究”, 固体电子学研究与进展,2004,24(3):286-290（EI收录）
专利及奖相等
授权的专利（16项）：
[1]孙伟锋, 胡晨, 时龙兴, “平板显示的驱动芯片高压器件结构及其制备方法”, 发明专利，专利号：ZL 02112706.9
[2]孙伟锋, 宋慧滨, 陆生礼, 时龙兴, “高压P型金属氧化物半导体管”, 发明专利，专利号：ZL 02138393.6
[3]孙伟锋, 易扬波, 陆生礼, 时龙兴, “高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管”, 发明专利, 专利号：ZL 02138394.4
[4]孙伟锋，陆生礼，易扬波，孙智林，时龙兴, “横向P型金属氧化物半导体管”，发明专利, 专利号：ZL 03112627.8
[5]孙伟锋，易扬波，陆生礼，宋慧滨，时龙兴, “内置保护N型高压金属氧化物半导体”， 发明专利, 专利号：ZL 03112626.X
[6]孙伟锋，陆生礼，吴建辉，易扬波，宋慧滨，时龙兴, “多电位场极板横向高压N型金属氧化物半导体管”，实用新型专利，专利号：ZL 200420062099.X
[7]孙伟锋，李海松，陆生礼，时龙兴，易扬波，“低功耗CMOS型高压驱动电路“，实用新型专利，专利号：ZL 200420078208.7
[8]孙伟锋, 易扬波, 时龙兴, “平板显示的驱动芯片用高压器件结构”, 实用新型专利，专利号：ZL 02219093.7
[9]孙伟锋，陆生礼，茆邦琴，李海松，时龙兴， “双栅高压N型金属氧化物半导体管”，发明专利，专利号：ZL 03158281.8
[10]孙伟锋，易扬波，孙智林，时龙兴，“等离子平板显示器驱动芯片用的高压器件结构及其制备方法”，发明专利，专利号：ZL 03158280.X
[11]孙伟锋，李海松，陆生礼，时龙兴，易扬波，“低功耗CMOS型高压驱动电路“，发明专利，专利号：ZL 200410011821.6
[12]孙伟锋，陆生礼，刘昊，时龙兴，“双栅高压P型金属氧化物半导体管”，发明专利，专利号：ZL 03158282.6
[13]孙伟锋，陆生礼，吴建辉，易扬波，宋慧滨，时龙兴, “多电位场极板横向高压N型金属氧化物半导体管”，发明专利，专利号：ZL 200410041076.5
[14]时龙兴，孙伟锋，易扬波，陆生礼, “内置保护P型高压金属氧化物半导体”， 发明专利, 专利号：ZL 03112625.1
[15]吴建辉, 陆生礼, 孙伟锋, 时龙兴, “高压P型MOS管及其制备方法”, 发明专利，专利号：ZL 02112705.0
[16]时龙兴, 吴建辉, 陆生礼, 孙伟锋, “高 压 P 型 MOS 管”, 实用新型专利, 专利号：ZL 02219092.9
申请的专利（16项）：
[1]时龙兴， 孙伟锋，李海松，陆生礼，易扬波，“低功耗CMOS型高压驱动电路”，国际发明专利 ，申请号：PCT/CN2004/001187
[2]孙伟锋，时龙兴，易扬波，陆生礼，桑爱兵，“三维多栅高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管”， 发明专利，申请号：200510094030.4
[3]孙伟锋，时龙兴，易扬波，陆生礼，宋慧滨，“三维多栅高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管”， 发明专利，申请号：200510094031.9
[4]孙伟锋 易扬波 夏小娟 徐申 陆生礼 时龙兴，“高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法”，发明专利，申请号：200610041322.6
[5]孙伟锋 易扬波 李海松 陆生礼 时龙兴，“高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法”，发明专利，申请号：200610041323.0
[6]孙伟锋 易扬波 夏小娟 徐申 陆生礼 时龙兴，“高压P型金属氧化物半导体管”，实用新型，申请号：200620077465.8
[7]孙伟锋 易扬波 李海松 陆生礼 时龙兴，“高压N型金属氧化物半导体管”，实用新型，申请号：200620077466.2
[8]孙伟锋，李海松，李杰, 易扬波，徐申，夏晓娟，时龙兴，“厚栅高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法”，发明专利，申请号：200610098372.8
[9]孙伟锋，夏晓娟，徐申，李海松，谢亮，时龙兴，“红外焦平面读出电路”，发明专利，申请号：200710019476.x
[10]孙伟锋，刘侠，戈喆，易杨波，陆生礼，时龙兴，“沟槽高压P型金属氧化物半导体管”，发明专利，申请号：200720035523.5
[11]孙伟锋，吴虹，戈喆，易杨波，陆生礼，时龙兴，“沟槽高压N型金属氧化物半导体管”，发明专利，申请号：200710021129.0
[12]孙伟锋，夏晓娟，徐申，李海松，时龙兴，“CMOS基准电压源”，发明专利，申请号：200610161587.x
[13]孙伟锋，夏晓娟，谢亮，时龙兴, “CMOS基准源电路”, 发明专利，申请号：200610161588.4
[14]易扬波，孙伟锋，李海松，李杰, 徐申，夏晓娟，时龙兴，“高压功率集成电路用少子环隔离结构”，发明专利，申请号：200610098371.3
[15]易扬波，徐申，李海松，孙伟锋，夏晓娟，李杰, 时龙兴，“高压功率集成电路隔离结构”，发明专利，申请号：200610098373.2
[16]夏小娟，谢亮，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，“输出电压可调式CMOS基准电压源”，发明专利，申请号：200610161589.9
获奖(4项)：
[1]2003年获第三届“挑战杯”天堂硅谷中国大学生创业计划竞赛金奖。
[2]硕士论文——《PDP选址驱动芯片设计》获得2004年江苏省优秀硕士论文。
[3]PDP列驱动芯片获得2004年国家重点新产品证书。
[4]指导研究生取得第二届“安捷伦”杯论文比赛特等奖。
已开课程：
集成电路制造基础
*如果发现导师信息存在错误或者偏差，欢迎随时与我们联系，以便进行更新完善。
联系方式>>
